كانت مجموعة مسابك سامسونج تطارد TSMC في قطاع تصنيع الرقائق منذ سنوات قليلة ، لكنه لم يكن قادرًا على هزيمة منافسه. في العام الماضي ، كشفت الشركة الكورية الجنوبية أنها ستبدأ في صنع رقائق 3 نانومتر في منتصف عام 2022 وشرائح 5 نانومتر في عام 2025. الآن ، أعلنت شركة TSMC عن جدول إنتاجها للرقائق 3 نانومتر و 2 نانومتر.
كشفت أكبر شركة لتصنيع الرقائق في العالم ، TSMC ، أنها ستبدأ الإنتاج بكميات كبيرة لأول رقائق أشباه الموصلات N3 (فئة 3 نانومتر) في النصف الثاني من عام 2022. الرقائق المستندة إلى عملية 3 نانومتر الجديدة ستصل إلى في وقت ما في أوائل عام 2023. تخطط الشركة التايوانية لبدء إنتاج رقائق 2 نانومتر في عام 2025.
علاوة على ذلك ، ستبدأ الشركة في استخدام تقنية GAA FET (البوابة الشاملة للترانزستورات ذات التأثير الميداني) مع رقائق N2 (فئة 2 نانومتر). هذا يعني أن سامسونج سوف تتفوق على TSMC في جلب هذه التقنية الجديدة من خلال تنفيذها بشرائح 3 نانومتر في وقت لاحق من هذا العام. من المتوقع أن يحقق GAA FET تحسينات كبيرة في كفاءة الطاقة.
تخطط TSMC لإطلاق ما مجموعه خمس عقد عملية من فئة 3 نانومتر: N3 ، N3E (3 نانومتر المحسن) ، N3P (3 نانومتر الأداء المحسن) ، N3S (3 نانومتر كثافة محسّنة) ، N3X (3 نانومتر فائقة الأداء). تقدم كل عملية جديدة أداءً أعلى وكثافة ترانزستور أعلى وكفاءة أعلى في استهلاك الطاقة.
تستخدم جميع عمليات فئة N3 تقنية FinFlex السرية من TSMC التي تساعد مصممي الشرائح على وضع اللبنات الأساسية الخاصة بهم بدقة من أجل تحسين الأداء والكفاءة. فقط الوقت هو الذي سيحدد تقنية العلامة التجارية التي تقدم أداءً وكفاءة وعائدًا أعلى.
يمكن للعلامات التجارية الكبيرة ذات الرقائق الخالية من الفابليس ، بما في ذلك آبل و AMD و كوالكوم و إنفيديا و ميديا تيك ، استخدام عمليات TSMC المتقدمة في السنوات القادمة. ومع ذلك ، يمكن لبعض هؤلاء العملاء أيضًا استخدام مسابك سامسونج لبعض رقائقهم.
تابع موقعنا tech1new.com انضم إلى صفحتنا على فيسبوك و متابعتنا على Twitter للحصول على تحديثات إخبارية فورية ومراجعات وشروحات تقنية.
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق